空穴传输材料的电学性能测试首选Field-Effect Transistor (FET)设备。该仪器测量空穴迁移率，典型值需达10^{-4} cm²/Vs以上。
光电性能评估使用Solar Simulator结合IPCE测量系统。模拟AM1.5光谱，量化材料的吸收和载流子收集效率。
热稳定性通过Thermogravimetric Analyzer (TGA)检测。加热至500°C，观察5%重量损失温度，以预测器件长期可靠性。
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B2B采购前，建议使用Portable Spectrometer进行现场验证。快速扫描HOMO。