光刻机光源主要采用DUV和EUV技术,波长从193nm至13.5nm,确保纳米级图案转移。高效光源降低能耗,提高产量,直接提升芯片良率。
商业价值显著:在5nm以下工艺中,光源优化可节省数亿美元制造成本,推动AI与5G应用落地,助力企业占据全球半导体供应链主导地位。
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未来趋势聚焦高功率激光光源开发,结合光刻胶优化,实现亚10nm精度,预计2030年市场规模超5000亿元。
光刻机光源主要采用DUV和EUV技术,波长从193nm至13.5nm,确保纳米级图案转移。高效光源降低能耗,提高产量,直接提升芯片良率。
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