EUV光刻机纳米分辨率解析：13.5nm波长驱动2nm芯片制程创新

EUV光刻机采用13.5nm极紫外光源，标准NA 0.33下分辨率达13.5nm，通过多重曝光技术实现5nm至2nm制程，显著降低晶体管密度成本。

高NA EUV系统将分辨率提升至8nm，支持A10节点量产，助力台积电等企业加速先进芯片开发，商业价值超千亿美元。

2025年后，EUV技术将推动1nm以下分辨率突破，驱动AI与5G应用创新，强化全球供应链安全。