国产28nm光刻机突破交付：半导体自主化与产业链升级新引擎

国产28nm光刻机采用193nm ArF浸没式DUV技术，实现高精度图案转移，分辨率≤28nm，套刻精度<8nm，满足中高端IC需求。

该设备国产化降低采购成本20%以上，保障供应链安全，促进汽车电子、5G芯片等下游产业快速发展。

未来量产将加速半导体生态构建，提升企业市场份额，实现技术与商业双重价值。