光刻机核心光源为紫外光,早期的汞灯i-line波长365nm,用于亚微米工艺,成本低但分辨率有限,适用于中低端芯片制造。
KrF与ArF准分子激光分别采用248nm和193nm波长,实现90nm以下节点,加速5G与AI芯片商用化,投资回报率显著提升。
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EUV光源波长13.5nm,ASML主导技术,赋能3nm以下工艺,预计2025年市场规模超百亿美元,推动半导体产业升级。
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