中国自主EUV光刻机采用LDP等离子体技术，2025年Q3试产启动，精度达3nm，打破国外垄断，提升芯片制造效率。
上海微电子28nm DUV机良率82%，年产百台计划落地，商业价值凸显，驱动半导体产业升级与全球竞争力。
中国光刻机自主研发突破：EUV试产开启半导体新纪元
半导体制造
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摘要：中国EUV光刻机进入2025年试生产阶段，LDP技术颠覆传统，推动28nm DUV量产，助力产业链自主化。
发布时间：2025-11-07
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