中国最先进光刻机突破：28nm DUV量产加速半导体自主化进程

上海微电子28nm浸没式DUV光刻机进入验证阶段，年产百台计划落地。该设备精度达82%良率，显著降低进口依赖，推动中芯国际等企业高效扩产。

新凯来EUV光刻机2025年试产，目标3nm工艺。结合电子束技术0.6nm线宽创新，预计2026年量产，释放万亿级半导体投资价值。