蚀刻与光刻的本质区别：半导体精密加工的核心互补技术

光刻通过紫外光曝光转移掩膜图案至光刻胶，形成纳米级模板；蚀刻则利用化学或等离子体去除暴露材料，实现三维结构刻蚀。二者区别在于光刻侧重图案定义，蚀刻聚焦材料减薄。

在半导体工业，光刻确保设计精度，蚀刻控制侧壁垂直度与均匀性。优化二者结合，可降低缺陷率20%，加速5nm节点芯片量产，显著提升市场竞争力。