NTJD4001NT1G双N沟道MOSFET在电子开关电路中的性能分析与应用
电子元件
2026-01-10
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ntjd4001nt1g
摘要：NTJD4001NT1G是一种双N沟道MOSFET元件，支持30V耐压和低门极电荷切换。
该元件采用SOT-363封装，提供250mA连续漏极电流和1.5欧姆导通电阻，适用于低功耗开关和电源管理电路。
在工业电子设计中，NTJD4001NT1G确保快速切换和高效能耗控制，提升系统可靠性和小型化集成。
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发布时间：2026-01-10
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