BSS126 N沟道耗尽型MOSFET在工业电源管理中的关键应用

功率半导体器件 2026-01-10 查询: bss126
关键词: bss126
摘要:BSS126高耐压耗尽型MOSFET(600V)适用于电源启动、过压保护及电流限制,提供常闭特性与高效控制。

BSS126是英飞凌推出的N沟道耗尽型MOSFET,无栅压时导通,RDS(on)低至500kΩ,适合600V高压应用场景。

在工业开关电源中,该器件常用于启动电路、涌入电流限制及过压保护,实现单器件多功能集成。

相关行业报告

其SOT-23封装小巧可靠,助力电源模块小型化与高效率设计,是脱机电源与基准电压电路的优选元件。

发布时间:2026-01-10
参与行业讨论

与行业专家和同行交流,分享您的见解和经验

相关文章

英飞凌FF200R33KF2C高功率IGBT模块性能与工业应用

解析英飞凌33kV/200A高压IGBT模块FF200R33KF2C的技术特点与典型应用场景。

2026-01-11
IPD60R180P7S CoolMOS P7:600V高效功率MOSFET应用解析

Infineon IPD60R180P7S采用超结技术,实现超低导通电阻与优异开关性能,广泛用于电源、充电器及工业逆变器。

2026-01-10
MBRS360肖特基整流二极管:高效低压电源转换的理想选择

MBRS360提供60V/3A低正向压降性能,适用于开关电源与逆变器中的高效整流。

2026-01-10
VS-MBR6045WT-N3肖特基整流二极管性能与工业应用解析

VS-MBR6045WT-N3为Vishay 60A/45V双共阴极肖特基二极管,具有极低正向压降和高开关速度,适合高效率电源系统。

2026-01-10
ZXMP6A17E6TA:Diodes公司高性能P沟道增强型MOSFET

ZXMP6A17E6TA提供-60V耐压与低导通电阻,适用于工业电源、电机驱动与电池管理等高可靠性应用。

2026-01-10
2SK1590 MOSFET性能解析与工业电源设计应用

介绍东芝2SK1590 N沟道功率MOSFET的主要电参数及在高频开关电源中的典型应用场景。

2026-01-10