抗静电袋采用多层复合结构,通常由聚乙烯与导电炭黑或金属化涂层复合而成,表面电阻率控制在10⁶~10⁹Ω之间,能快速泄放静电荷。
在电子制造过程中,抗静电袋可有效保护IC、MOSFET、光电器件等静电敏感器件(ESD敏感度<200V),避免组装、仓储、运输环节的静电击穿失效。
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选择抗静电袋时需关注衰减时间、屏蔽效能及耐温性能,定期检测表面电阻以确保长期可靠的静电防护效果。
抗静电袋采用多层复合结构,通常由聚乙烯与导电炭黑或金属化涂层复合而成,表面电阻率控制在10⁶~10⁹Ω之间,能快速泄放静电荷。
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选择抗静电袋时需关注衰减时间、屏蔽效能及耐温性能,定期检测表面电阻以确保长期可靠的静电防护效果。
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