光伏逆变器核心功率模块中,碳化硅MOSFET取代硅IGBT,实现开关频率达100kHz以上,显著降低开关损耗,提升系统效率至99%。
其宽禁带特性支持高温高频运行,缩小磁性元件体积20%,优化热设计,延长逆变器寿命并减少维护成本。
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市场验证显示,采用碳化硅MOSFET的逆变器年发电量增5%,ROI缩短至3年以内,助力光伏项目规模化盈利。
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