EUV紫外光刻机：13.5nm波长驱动7nm以下节点半导体制造革命

EUV紫外光刻机采用13.5nm极紫外光源，通过反射光学系统实现高NA数值孔径曝光，精确刻蚀7nm及以下节点特征尺寸，显著降低工艺复杂度和缺陷率。

在商业应用中，该设备加速先进逻辑芯片与存储器生产，ASML垄断市场份额达90%以上，帮助企业缩短上市周期并提升毛利率20%以上。

未来EUV技术迭代将集成高阶多重曝光，支撑2nm节点需求，强化供应链韧性与全球半导体竞争力。