负氢离子技术驱动半导体表面处理创新与高效生产

负氢离子源通过等离子体放电产生高纯度H-束流，用于半导体晶圆表面还原处理，有效去除氧化层，提高键合效率，显著降低缺陷率。

在离子注入工艺中，负氢离子优化掺杂均匀性，缩短处理周期20%，助力5nm以下节点生产，增强芯片商业竞争力。

该技术集成自动化生产线，预计年节省能源成本15%，为先进制造注入绿色价值，推动行业可持续发展。