氧化铪材料特性及在电子工业中的关键应用

氧化铪（HfO2）为白色粉末，高熔点超过2750℃，介电常数约25，广泛用于高温陶瓷和核材料。

在电子工业中，作为高k介质替代SiO2，提升MOSFET性能。薄膜沉积采用ALD工艺，厚度控制在纳米级。