芯片刻蚀设备：干法与湿法原理在半导体制造中的应用与技术挑战

干法刻蚀采用等离子体轰击，如ICP和CCP，用于硅和介质材料，确保高选择性和均匀性。

湿法刻蚀使用化学溶液，适用于简单图案，但干法占比超95%，支持7nm以下制程。

设备需满足高保真度要求，通过多重模板工艺实现精细线宽，适用于先进芯片生产。