蚀刻工艺以光刻胶掩膜为基础,首先进行基材清洗与表面活化处理,确保附着力与均匀性,随后涂布、曝光、显影形成精密图形。
进入主蚀刻阶段,湿法采用酸性或碱性蚀刻液,干法则使用等离子体或反应离子蚀刻,实现各向同性或各向异性材料去除,控制CD与侧壁角度。
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蚀刻完成后依次进行光刻胶去除、残留物清洗及表面钝化处理,最终通过显微镜与量测设备检验关键尺寸与表面质量,完成高质量零件交付。
蚀刻工艺以光刻胶掩膜为基础,首先进行基材清洗与表面活化处理,确保附着力与均匀性,随后涂布、曝光、显影形成精密图形。
进入主蚀刻阶段,湿法采用酸性或碱性蚀刻液,干法则使用等离子体或反应离子蚀刻,实现各向同性或各向异性材料去除,控制CD与侧壁角度。
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