晶圆研磨技术：半导体制造中实现超薄与超平的关键工艺

晶圆研磨（CMP）利用磨料浆液与抛光垫的协同化学-机械作用，有效去除晶圆表面损伤层并实现全局平坦化。

当前主流设备可控制晶圆总厚度变化（TTV）<0.5μm，表面粗糙度Ra<0.5nm，满足7nm及以下节点对平整度的严苛要求。

随着3D NAND、FinFET及GAA结构发展，多层、多材料研磨工艺持续优化，浆液配方与终点检测技术成为行业竞争焦点。