制造起始于MOCVD外延生长。在GaAs衬底上沉积InGaAs多量子阱结构，形成850nm或940nm发光层。控制厚度均匀性和掺杂浓度，直接影响量子效率。
随后是芯片加工，包括光刻、干法刻蚀和金属化。形成p-n结和电极，确保低电阻接触。芯片尺寸从微米级到毫米级，影响功率密度。
封装环节采用环氧树脂或硅胶透镜成型。TO-46金属罐封装提供优异散热，SMD适用于表面贴装。严格控制气泡和应力，避免光学性能劣化。
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老化测试模拟长期使用，筛选早期失效品。电学测试测量Vf、辐射功率和光谱分布，确保批次一致性。
自动化生产线集成。