该P沟道MOSFET具备-60V漏源电压、-3.1A连续漏极电流，RDS(on)典型值仅135mΩ（VGS=-10V）。
采用SOT23-3小型封装，结合优异的雪崩耐量与快速开关特性，特别适合空间受限的高效DC-DC转换器。
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广泛应用于工业自动化电源、充电桩控制、电机驱动模块及便携设备电源管理，提供稳定可靠的功率开关解决方案。
ZXMP6A17E6TA：Diodes公司高性能P沟道增强型MOSFET
功率半导体器件
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摘要：ZXMP6A17E6TA提供-60V耐压与低导通电阻，适用于工业电源、电机驱动与电池管理等高可靠性应用。
发布时间：2026-01-10
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