IPD50P04P4L-11 P沟道MOSFET在汽车电源保护中的优势
汽车电子功率器件
2026-01-11
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ipd50p04p4l-11
摘要：IPD50P04P4L-11为-40V P沟道MOSFET，RDS(on)低至10.6mΩ，适用于汽车反向电池保护和高侧驱动。
该MOSFET采用OptiMOS-P2技术，耐压-40V，连续漏极电流50A，适用于汽车电子系统电源管理。
逻辑电平驱动设计简化栅极控制，无需额外电荷泵，支持175°C高温工作环境。
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在汽车逆变器和电池保护电路中，IPD50P04P4L-11提供高效低损耗开关，提升系统可靠性和能效。
发布时间：2026-01-11
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