国产光刻机突破28nm工艺：半导体自主化注入新动能

国产光刻机在28nm节点实现高NA浸没式曝光，解析度达38nm，显著降低对进口设备的依赖。该突破采用国产光源与光学系统，良率提升15%，为先进制程提供可靠支撑。

此进展将重塑半导体供应链格局，预计降低芯片成本20%，激发下游应用创新。企业可借机优化产能布局，增强全球竞争力，推动制造业高质量发展。