ASML的High-NA EUV光刻机EXE:5200支持2nm以下工艺，每小时吞吐185片晶圆，精度达8nm半间距，显著降低制造复杂性。
该技术缩短设计-生产周期30%，成本优化20%，预计2025年全球需求激增，推动半导体产业年产值超5000亿美元。
2纳米光刻机革命：High-NA EUV技术驱动半导体微缩与万亿市场机遇
半导体制造
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关键词：
光刻机2纳米
摘要：2nm光刻机采用高NA EUV系统，实现亚2nm分辨率，提升芯片性能，助力AI与高性能计算，商业价值超预期。
发布时间：2025-11-08
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