光刻机发展史：从接触式到EUV技术，推动半导体产业跃进

光刻机源于20世纪50年代接触式技术，依赖紫外光直接曝光，适用于简单电路，但对准精度低、缺陷率高，限制了大规模集成电路生产。

70年代投影式光刻机兴起，引入步进重复曝光，提升分辨率至微米级；90年代浸没式DUV技术进一步缩小特征尺寸，推动摩尔定律延续。

21世纪EUV光刻机主导市场，ASML主导创新，波长13.5nm实现7nm以下节点，降低能耗、提升产量，半导体产业年产值超5000亿美元。