玻璃通孔TGV技术：实现半导体先进封装高密度3D互连的关键创新

玻璃通孔TGV技术采用激光诱导刻蚀在硼硅玻璃基板上形成精密通孔，经电镀铜填充实现可靠3D互连。该工艺显著提高器件密度，适用于中介层与MEMS封装。

TGV技术优化热管理和低损耗信号传输，降低制造成本20%以上。其商业价值在于加速高性能电子元器件迭代，预计2025年市场规模超百亿美元。