合金单晶用于电子电工前，需通过全面测试。其晶体纯度指标以ppm计，通常要求低于5ppm以便低电阻率。
缺陷密度是另一核心参数。使用红外显微镜检测位错和空位，目标值小于10^4/cm²，避免影响电子迁移。
电学性能测试包括载流子浓度和迁移率。霍尔效应测量验证是否符合半导体级标准。
光学测试评估透光率和折射率。合金单晶的均匀性直接决定在光电器件中的表现。
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机械强度检测使用纳米压痕仪，确认晶片抗碎裂能力，支持精密组装。
这些指标的合格率直接影响电子电工产品的可靠性，企业需标准化测试协议。
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