氮化镓(GaN)光刻机采用EUV极紫外光源,实现亚10nm级图案化精度,显著提高功率器件晶圆利用率,降低制造成本。
在5G基站和电动汽车领域,该设备加速GaN HEMT晶体管生产,预计年产值超百亿美元,推动产业链升级。
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商用部署中,光刻机集成AI优化曝光参数,确保高良率与能效,助力企业抢占高端市场份额。
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