二氧化硅介电常数在半导体绝缘层中的应用特性

二氧化硅的介电常数约为3.9，具有低损耗和高稳定性，广泛用作MOSFET栅极绝缘层。热氧化工艺确保均匀厚度，提升器件可靠性。

在高频应用中，其极化响应优异，降低寄生电容。纳米级沉积技术进一步优化介电强度，支撑5nm以下工艺节点发展。