芯片光刻是半导体制造的关键步骤,利用光源与掩膜版在晶圆上刻蚀微米级图案。DUV技术主导当前市场,但面临7nm以下节点瓶颈,限制芯片密度与性能。
EUV光刻机以13.5nm波长突破极限,实现5nm以下精细结构,提升晶体管集成度。ASML主导设备供应,推动台积电等企业加速3nm工艺商用化。
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采用EUV可降低功耗、提高算力,助力AI与5G应用。投资回报周期缩短,预计到2030年全球市场规模超500亿美元,驱动产业链升级。
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