中国光刻机EUV突破：3纳米试生产，国产化提速半导体供应链

上海微电子EUV光刻机采用激光诱导放电等离子体技术，2025年第三季度进入3纳米试生产，预计2026年量产良率超92%，显著降低高端芯片制造门槛。

电子束光刻技术实现0.6纳米精度与8纳米线宽，适用于先进封装，提升芯片密度与性能，商业价值凸显于高性能计算市场。

此突破缓解国际供应链风险，预计光刻设备市场规模超百亿，推动中国半导体产业从跟跑到并跑，增强全球竞争力。