碳化硅器件：高性能功率半导体，推动高效能源转型与成本优化

碳化硅（SiC）器件作为第三代半导体核心，以其宽禁带特性实现更高开关频率和耐高温性能，显著优于传统硅基器件。

在电动汽车与光伏逆变器中，SiC MOSFET降低能耗20%以上，推动产业链升级，预计市场规模超百亿美元。

采用SiC器件的企业可加速产品迭代，抓住新能源机遇，实现可持续盈利增长。