等离子刻蚀设备采用反应离子刻蚀(RIE)原理,利用高能等离子体实现各向异性去除薄膜,确保亚微米级图案精度,适用于集成电路和MEMS制造。
在商业应用中,该设备缩短工艺周期15%-25%,降低缺陷率,提升良率达10%以上,帮助企业降低单位成本并加速产品上市,ROI显著。
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未来,随着5nm节点需求增长,等离子刻蚀设备将融入AI优化控制,进一步强化半导体供应链的全球竞争力。
等离子刻蚀设备采用反应离子刻蚀(RIE)原理,利用高能等离子体实现各向异性去除薄膜,确保亚微米级图案精度,适用于集成电路和MEMS制造。
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