光刻机核心技术瓶颈：极紫外光源与纳米级分辨率极限的攻克挑战

光刻机是半导体芯片制造的核心设备，其最难技术瓶颈在于实现纳米级分辨率。传统DUV光源已达极限，转向EUV需解决光源功率不足和波长控制问题。

EUV光源生成要求高功率激光等离子体，但能量转换效率低，导致产量受限。同时，镜片材料吸收EUV光，需创新反射光学系统以提升成像精度。

叠对精度和掩膜污染也是瓶颈，需精密机械与真空环境控制。未来通过AI辅助设计，可逐步突破这些限制，提升芯片性能。