光刻技术在半导体制造中的核心应用与纳米级精度提升策略分析

光刻技术利用光波通过掩膜版曝光晶圆，实现微米至纳米级图案转移，是集成电路制造的基础步骤。

当前挑战包括分辨率极限和光源稳定性，采用多重曝光和浸没式光刻可提升精度至7nm以下节点。

未来发展趋势聚焦EUV光刻机，结合AI优化算法，降低缺陷率并提高产量，推动5G和AI芯片产业升级。