电源芯片制造工艺中关键步骤有哪些？

晶圆制造是基础，使用8英寸或12英寸硅晶圆，通过光刻、离子注入和蚀刻形成MOSFET或IGBT结构。

掺杂和扩散工艺控制阈值电压和导通电阻，实现低RDS(on)的功率器件特性。

金属化层沉积形成互连，确保高频开关下的低寄生电感。

封装过程采用QFN或TO-220等形式，提供良好散热和引脚布局，适应不同应用场景。

最终测试包括高压击穿、开关特性及热阻测量，保证芯片在-40℃至150℃温度范围稳定工作。

良率优化通过DOE实验设计，提升制造一致性。