IPD60R180P7S CoolMOS P7：600V高效功率MOSFET应用解析
功率半导体器件
2026-01-10
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摘要：Infineon IPD60R180P7S采用超结技术，实现超低导通电阻与优异开关性能，广泛用于电源、充电器及工业逆变器。
IPD60R180P7S具备18A连续电流与极低Rds(on)，CoolMOS P7平台大幅降低导通与开关损耗，提升系统能效。
DPAK封装便于表面贴装，适用于高密度电源设计，支持快充、服务器电源及电机驱动等高可靠性应用。
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该器件通过优化超结结构，实现EMI性能改善与热管理优化，成为现代高效功率转换的首选解决方案。
发布时间：2026-01-10
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