功率半导体器件资讯
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IPD60R180P7S CoolMOS P7：600V高效功率MOSFET应用解析
Infineon IPD60R180P7S采用超结技术，实现超低导通电阻与优异开关性能，广泛用于电源、充电器及工业逆变器。
功率半导体器件
2026-01-10
BSS126 N沟道耗尽型MOSFET在工业电源管理中的关键应用
BSS126高耐压耗尽型MOSFET（600V）适用于电源启动、过压保护及电流限制，提供常闭特性与高效控制。
功率半导体器件
2026-01-10
VS-MBR6045WT-N3肖特基整流二极管性能与工业应用解析
VS-MBR6045WT-N3为Vishay 60A/45V双共阴极肖特基二极管，具有极低正向压降和高开关速度，适合高效率电源系统。
功率半导体器件
2026-01-10
ZXMP6A17E6TA：Diodes公司高性能P沟道增强型MOSFET
ZXMP6A17E6TA提供-60V耐压与低导通电阻，适用于工业电源、电机驱动与电池管理等高可靠性应用。
功率半导体器件
2026-01-10