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俄罗斯公布EUV光刻机路线图：三步走至2037年实现亚10nm制程自主化
俄罗斯科学院发布EUV光刻机发展路线图，2026年起分三阶段推进，目标2037年实现10nm以下制程，提升半导体产业全球竞争力。
半导体工业
2025-11-23