长春光机所EUV光刻机光学系统突破：支撑3nm国产芯片制造

长春光机所主导EUV光刻机光学系统研发，高精度弧形反射镜面形误差小于0.1nm，实现大视野曝光，支持13.5nm波长投影。

该技术突破EUV光源与镜组集成，波前畸变达0.02nm水平，助力3nm工艺试产，降低对进口设备依赖。

商业价值显著，推动国产半导体产业链升级，预计提升芯片制造效率20%以上，助力光电产业高质量发展。