场效应管关键参数解析:阈值电压、跨导与饱和电流 - 电子工程 - 国尼卡

场效应管关键参数解析:阈值电压、跨导与饱和电流

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摘要:详解场效应管主要参数及其在电路设计中的应用意义。

阈值电压(Vth)决定场效应管导通起点,典型MOSFET值在1-5V间,影响开关速度。

跨导(gm)衡量输入电压对输出电流的控制能力,高gm值提升放大器增益。

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饱和电流(Idss)表示最大输出电流,选型时需匹配电路负载以确保稳定运行。

发布时间:2026-01-24
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