上海微电子SSA/600系列实现28nm工艺量产，国产化率超70%，支持7nm多重曝光路径。
EUV光刻机采用LDP技术路线，2025年进入试生产，2026年计划小批量量产，显著降低成本与能耗。
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产业链协同推进，光源、光学系统与工件台核心部件突破，助力半导体设备自主可控。
2026年中国国产光刻机技术突破与量产进展分析
半导体设备制造业
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目前国产光刻机进度
摘要：国产光刻机加速国产化，28nm浸没式已量产，EUV原型机测试中，2026年有望小批量交付。
发布时间：2026-01-30
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