量子光学芯片制造依赖高纯度半导体材料，如GaAs或InP，其晶体缺陷率需低于10^-6/cm²，以维持量子相干性。
衬底选择强调热匹配和光学透明度。电子电工企业常用硅基集成，结合III-V族化合物提升光子效率。
掺杂工艺使用精确控制的元素，避免杂质引入散射损失。测试材料的光学折射率和吸收谱是必备步骤。
可持续性考虑下，优先低毒材料。供应商需提供批次一致性数据。
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优化材料选择可提升芯片产量和可靠性。
未来，2D材料如石墨烯将扩展选项。
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