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IPD50P04P4L-11 P沟道MOSFET在汽车电源保护中的优势
IPD50P04P4L-11为-40V P沟道MOSFET，RDS(on)低至10.6mΩ，适用于汽车反向电池保护和高侧驱动。
汽车电子功率器件
2026-01-11